Everspin Technologies公司成立于2008年6月，早期是飞思卡尔半导体的一部分。Everspin是设计、制造和销售离散、嵌入式磁阻 RAM (MRAM) 和转动扭矩 MRAM (ST-MRAM) 的全球领导者，磁阻随机存取存储器（MRAM）始于1984年，当时Albert Fer和Peter Grünberg发现了GMR效应。早期的MRAM工作大部分由摩托罗拉完成，摩托罗拉于2004年将半导体业务剥离出来创建了飞思卡尔半导体公司，最终将MRAM业务分拆为Everspin公司。2014年，Everspin利用40nm和28nm节点工艺在300mm晶圆上生产平面内和垂直MTJ ST-MRAM 。Everspin公司的MRAM产品广泛应用于工业，汽车，运输和企业存储市场...