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Everspin公司
Everspin Technologies公司成立于2008年6月,早期是飞思卡尔半导体的一部分。Everspin是设计、制造和销售离散、嵌入式磁阻 RAM (MRAM) 和转动扭矩 MRAM (ST-MRAM) 的全球领导者,磁阻随机存取存储器(MRAM)始于1984年,当时Albert Fer和Peter Grünberg发现了GMR效应。早期的MRAM工作大部分由摩托罗拉完成,摩托罗拉于2004年将半导体业务剥离出来创建了飞思卡尔半导体公司,最终将MRAM业务分拆为Everspin公司。2014年,Everspin利用40nm和28nm节点工艺在300mm晶圆上生产平面内和垂直MTJ ST-MRAM 。Everspin公司的MRAM产品广泛应用于工业,汽车,运输和企业存储市场...
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    Toggle MRAM,自旋转矩MRAM,嵌入式MRAM
    MRAM具有与标准随机存取存储器(RAM)类似的性能特征,同时还具有非易失性存储器的持久性,这意味着如果从系统中移除电源,其不会丢失其电荷或数据。这一特性使MRAM适用于大量嵌入式应用....
    至今销售了1.2亿个MRAM和STT-MRAM产品
    Everspin在数据中心,云存储,能源,工业,汽车和运输市场中部署了超过1.2亿个MRAM和STT-MRAM产品,为全球MRAM用户奠定了最强大,增长最快的基础,其市场和应用领域涉及数据持久性和可靠性...
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    设计资源
    Everspin官网提供各种设计资源,包括Everspin芯片的参考电路、参考设计、设计工具、仿真模型、评估板等
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    Everspin的前沿技术让解决方案更加完善,满足从低端器件到高端应用的各种性能要求,让您从不落后于潮流应用
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