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Everspin宣布开发用于工业和物联网应用的STT-MRAM

Everspin今天宣布在德国Embedded World上专门针对工业和物联网应用开发STT-MRAM。Everspin在屡获殊荣的1Gb自旋转扭矩Tor MRAM的成功基础上,正在开发新的STT产品系列,以提供广泛的工业应用所需的属性,并提供:

 

数据持久性(非易失性),数据保留时间超过10年

无限的耐力

8Mb至256Mb密度

 -40至+ 85C的工作温度范围

类似于SRAM的性能,低延迟和高带宽

标准JEDEC串行接口(SPI,QSPI,OSPI,xSPI)

与Everspin现有的串行Toggle MRAM以及nvSRAM,FRAM和NOR Flash兼容

Everspin公司被热门关注的产品(2024年12月21日)
MR20H40DFR
存储器
产品封装:8-VDFN
MR5A16AYS35R
存储器
产品封装:54-TSOP(0.400,10.16mm 宽)
MR25H256MDFR
存储器
产品封装:8-VDFN
MR25H40DF
存储器
产品封装:8-VDFN
MR25H40CDC
存储器
产品封装:8-VDFN
MR25H40MDF
存储器
产品封装:8-VDFN
MR25H256CDF
存储器
产品封装:8-VDFN
MR1A16AMYS35
存储器
产品封装:44-TSOP(0.400,10.16mm 宽)
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